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| 作者 |
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徐国鼐
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| ISBN |
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9787030187536
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| 页数 |
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245页
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| 开本 |
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16开
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| 出版日期 |
： |
2007-4-23
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| NT$ |
： |
333
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配送说明： 国际快递 ， 海运邮递 。
付款说明： 1. VISA、MASTER線上刷卡 2. 信用卡传真刷卡付款 3.
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本书以微电子系大学生研究生以及企业电子电路设计人员为读者对象,讲解模拟集成电路设计的历史变迁、半导体及晶体管电路的基础知识、场效应晶体管及其电路、双极性集成电路及其构成要素、模拟基本大规模集成电路、模拟应用大规模集成电路、以及CMOSFET，模拟大规模集成电路、噪声与热、计算机仿真电路设计等。本书从基础到应用，循循渐进，通俗易懂，插图丰富。
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第1章 模拟LSI电路设计的变迁
1.1 半导体技术和模拟电路
1.2 模拟电路的分类
1.3 专用LSI和ASIC
1.4 系统LSI和模拟电路设计
1.5 运算放大器和模拟电路设计
1.6 LSI的大规模化和电路设计方法
1.7 CMOS模拟电路设计
第2章 半导体和晶体管电路的基础知识
2.1 半导体的特征
2.1.1 半导体的材料和种类
2.1.2 用硅作半导体材料的理由
2.1.3 硅原子和半导体
2.1.4 N型半导体和P型半导体
2.1.5 能带理论
2.1.6 本征半导体和杂质半导体
2.1.7 化合物半导体
2.2 半导体的分类
2.2.1 按用途分类
2.2.2 按结构分类
2.2.3 逻辑LSI的分类
2.2.4 逻辑LSI的种类
2.2.5 存储LSI的种类
2.3 模拟电路设计的分类
2.3.1 使用分立元器件的模拟电路设计
2.3.2 使用通用模拟LSI的电路设计
2.3.3 定制LSI和模拟电路设计
2.3.4 模拟LSI电路设计
2.3.5 绝对精度和相对精度
2.4 晶体管的工作原理和基本放大电路
2.4.1 晶体管的工作原理
2.4.2 双极型和单极型
2.4.3 正向电压和发射极电流的关系
2.4.4 基区宽度调制（厄利效应）
2.4.5 晶体管的基本放大电路
2.4.6 基极接地放大电路
2.4.7 集电极接地放大电路（发射极跟随器、缓冲器）
2.4.8 发射极接地放大电路
第3章 FET及其电路
3.1 FET的工作原理与基本放大电路
3.1.1 FET的工作原理
3.1.2 借助于耗尽层的电流控制（沟道长度调制）
3.1.3 结型FET的主要参数
3.1.4 按特性对FET分类（增强型和耗尽型）
3.1.5 按栅极结构对FET进行分类（结型、肖特基型及MOS型）
3.1.6 FET与晶体管的比较
3.1.7 结型FET和绝缘栅（MOS）型FET的不同
3.2 CMOS型FET
3.2.1 CMOS型FET的概要
3.2.2 CMOs的结构
3.2.3 CMOS和逻辑电路
3.2.4 CMOS反相器和自锁效应
3.3 Bi-CMOS电路
3.3.1 Bi-CMOS的概要
3.3.2 Bi-CMOS逻辑电路
3.3.3 混合信号（Mixed Signal）
3.4 FET的基本放大电路
3.4.1 FET的三种接地放大电路
3.4.2 源极接地电路
……
第4章 双极型集成电路及其构成要素
第5章 模拟基本LSI电路
第6章 模拟应用LSI电路
第7章 CMOS FFT模拟LSI电路
第8章 噪声和热
第9章 基于仿真的电路设计
参考文献
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渡边嘉二郎，1972年东京工业大学大学院博士课程修完，工学博士，现在，法政大学工业部系统控制工程专业教授。
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